应变电阻随着机械形变产生阻值变化的现象是压阻效应(Piezoresistive Effect)。这是一种物理效应,指的是材料的电阻随着其受到的机械压力或形变而发生变化。这种效应在半导体材料中尤为明显,因为它们对微观结构的改变非常敏感。
压阻效应的基本原理包括:
晶格变形:当材料受到机械力时,其晶格结构发生变形,导致电荷载流子(电子和空穴)的迁移率发生变化。
能带结构变化:晶格变形也可能导致能带结构的变化,从而影响材料的电阻率。
载流子散射:形变引起的晶格缺陷或应力会导致载流子散射,改变其运动路径和速度。
尺寸变化:如前所述,材料的几何尺寸变化(长度和截面积)也会影响电阻值。
电阻率变化:由于材料的电阻率与应力状态有关,形变可以导致电阻率的局部变化。
压阻效应在设计应变计(Strain Gauges)和压力传感器时被广泛应用。这些设备通常由压阻材料制成,可以将机械形变转换为电信号,用于测量力、压力、应变等物理量。常见的压阻材料有硅、锗、金属合金等。