单管共发射极放大电路的理论计算值

单管共发射极放大电路是一种基本的电子放大电路，一般用于小信号放大。这里简单说明一下共发射极放大电路的理论计算值，但请注意，这些计算是基于理想条件，实际电路会有多种因素影响最终结果。

1. 电压增益 Av
   电压增益可以通过公式 ( A_V = -\frac{R_C}{R_E} ) 来计算，其中 ( R_C ) 是集电极电阻，( R_E ) 是发射极电阻。负号表示相位反转。

2. 电流增益 Ai
   电流增益是集电极电流与基极电流之比，可以表示为 ( AI = \beta ) 或 ( h{FE} )，这是晶体管的直流电流增益参数。

3. 输入电阻 Ri
   输入电阻的理论值大约是 ( r_{\pi} ) 和 ( (1 + \beta) \times RE ) 的并联，其中 ( r{\pi} ) 是晶体管内部的输入电阻。

4. 输出电阻 Ro
   输出电阻可以通过 ( ro = \frac{r{\pi}}{g_m} ) 来近似计算，其中 ( g_m ) 是跨导，( g_m = \frac{i_C}{V_T} )，( V_T ) 是热电压（约26mV）。

5. 最大未失真输出电压幅度
   这涉及到电源电压、负载电阻和晶体管参数。一般情况下，输出电压不能超过电源电压减去晶体管的饱和电压和二极管压降。

6. 带宽 BW
   带宽理论上由晶体管的截止频率 ( f_T ) 和电路设计决定。一个简化的计算是 ( B_W = \frac{f_T}{Q} )，其中 ( Q ) 是品质因数，与电路的具体设计有关。

7. 静态工作点（Q点）
   静态工作点包括基极电流 ( I_B )，集电极电流 ( I_C ) 和对应的电压。这通常是通过设计使得晶体管工作在活跃区的某个固定点，以保证放大效果稳定。

请提供具体的电路参数，我可以帮助你进行更精确的计算。记住，真实世界中的电路设计需要考虑实际元件的特性和温度、电源波动等影响因素。