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位错攀移绕过弥散相颗粒( Orowan 机制）中的位错类型
发布于 2023-10-09 20:17:30
在Orowan机制中，位错类型主要包括晶格位错和夹杂位错。
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晶格位错：晶格位错是晶体中的缺陷，它们是由于原子排列的不规则性或者畸变引起的。晶格位错可以分为以下几种类型：
- 边缘位错：边缘位错是由两个错层之间的额外半面相互贴合形成的。它们是沿着某个晶格方向移动的，具有平面性质。
- 螺旋位错：螺旋位错是由错层的旋转所引起的，形成了一个螺旋状结构。螺旋位错也可以看作是晶体中的弯曲线。
- 混合位错：混合位错是由边缘位错和螺旋位错的组合形成的，其中既有边缘位错的平面性质，又有螺旋位错的线性性质。
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夹杂位错：夹杂位错是由于晶体中存在的夹杂物引起的。夹杂物可以是其他原子、离子或分子，它们的存在会导致晶格的畸变，从而形成夹杂位错。
以上是Orowan机制中的主要位错类型。它们在材料科学和力学性质研究中具有重要的作用，可以影响材料的力学性能和变形行为。
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