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内存6000评率 最佳时序
发布于 2024-05-27 10:37:20
当您提到内存（RAM）的时序，通常是指其性能参数，与内存的速度（频率）有关。内存参数通常包括以下几点：
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速度（频率）：这是内存条工作的速度，通常以MHz表示。例如DDR4内存采用的是时钟频率的两倍表示。
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CL（CAS延时）：CAS延时（Column Address Strobe Latency）是内存访问时的延迟。CL是指内存启动读取操作到读取的数据写入到CPU时候的延时时间，以时钟周期数表示，数值越小，内存响应时间就越快。
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tRCD（时钟延迟）：内存地址选通脉冲建立时间。也就是行地址选通脉冲（Row Address Strobe）与时钟脉冲之间的时间差。
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tRP（预充电周期）：内存从结束行访问到开始预充电的最短周期时间。
一般来说，"最佳时序"指的是在用户需要的性能和系统稳定性之间达到平衡的时序参数设置。通常，内存生产厂家给出的内存默认参数就是综合性能达到最佳的状态。
如果您有特定的内存型号和信息，需要找到最佳时序，可能需要查看内存的官方规格说明或使用一些内存测试软件来进行性能测试和时序调整。然而，如果你的内存已经在使用而且没有问题，通常不需要对初学者手动调整时序。
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