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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

发布于 2021-09-10 05:09:01

A.磁控溅射
B.反应溅射
C.电阻蒸镀
D.LPCVD
E.射频溅射
F.PECVD

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步云☁️ 2021-09-10

这家伙很懒，什么也没写！

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蓝色多瑙河

这家伙很懒，什么也没写！

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