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关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：

发布于 2021-09-09 15:44:30

A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。

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舅姥爷 2021-09-09

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吴昊

这家伙很懒，什么也没写！

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