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IGB.T导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（）进行调制，使IGB.T具有很强的通流能力。

发布于 2021-01-30 16:20:22

【单选题】
A 电导率
B 降压值
C 耐压值
D 电热率

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186****0683 2023-01-30

这家伙很懒，什么也没写！

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