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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

发布于 2021-09-10 08:38:48

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应

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色即是空 2021-09-10

你要求的次数愈多，你就越容易得到你要的东西，而且连带地也会得到更多乐趣。

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Mr.李

这家伙很懒，什么也没写！

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