diangong

IGB.T比VD.MOSFET多一层（）注入区，因而形成了大面积的P+N结。

发布于 2021-01-30 16:20:21

【单选题】
A P-
B P+
C N-
D N+

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deng_yulin 2023-01-30

这家伙很懒，什么也没写！

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