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IGBT比VDMOSFET多一层___注入区,因而形成了大面积的P+N结。
发布于 2021-07-06 23:08:17
【单选题】
A P-
B P+
C N-
D N+
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宇轩
2021-07-06
想在你的脸上扮演一只啄木鸟?
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猫哥
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