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室温下，杂质半导体中，载流子都是由杂质电离产生的，这种说法是()。
发布于 2024-09-25 15:39:34
这种说法是正确的。
在杂质半导体中，通常通过掺杂（添加少量的其他元素）来改变其电学性质。这些添加的杂质原子会引入额外的能级，这些能级接近于导带或者价带，从而有助于提高载流子的浓度。
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n型半导体：通过向本征半导体中掺入五价元素（如磷或砷）来形成n型半导体。这些杂质原子比硅或锗原子多一个价电子，因此会在导带中释放出额外的电子，增加电子的浓度。
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p型半导体：通过向本征半导体中掺入三价元素（如硼或镓）来形成p型半导体。这些杂质原子比硅或锗原子少一个价电子，因此会在价带中留下额外的空穴，增加空穴的浓度。
总的来说，杂质半导体中的载流子主要是由杂质原子电离（释放或接受电子）产生的。这种电离过程使得杂质半导体的电导率比本征半导体高得多。
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