这种说法是 B 错误的。
在n型或p型半导体中,所谓的“少子”是指相对于多数载流子而言较少的载流子。例如,在n型半导体中,电子是多数载流子,而空穴是少数载流子;在p型半导体中,空穴是多数载流子,而电子是少数载流子。
掺杂可以显著增加多数载流子的数量,但通常对本征载流子(即少子)的数量影响不大。实际上,掺杂引入的杂质电离产生的载流子(多数载流子),会通过复合过程减少少子的数量,而不是增加。因此,在掺杂的n型或p型半导体中,少子的数量通常比本征半导体中的同类型载流子要少,而不是多。
所以,该说法是不正确的。