针对4种典型全控型器件，门极可关断晶闸管，电力晶体管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，就他们的容量开关频率驱动，就他们的容量，开关频率，驱动方式及驱动功率，还有存在的问题，最新发展进行比较

门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（Power MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）是四种典型的全控型器件。它们在容量、开关频率、驱动方式、驱动功率以及存在的问题上各有特点：

1. 容量：

   • GTO和GTR在容量方面相对较高，适用于大功率应用。它们能够处理较高的电压和电流。
   • Power MOSFET在低至中功率范围内具有广泛应用，通常用于功率较小的应用。
   • IGBT是功率范围广泛的器件，能够处理中等到高功率范围。

2. 开关频率：

   • GTO的开关速度相对较慢，典型的转换时间在微秒级别，适用于低频应用。
   • GTR通常工作在较低的频率下。
   • Power MOSFET通常具有较快的开关速度，适用于高频率应用。
   • IGBT在中等频率范围内工作，介于GTO和Power MOSFET之间。

3. 驱动方式及驱动功率：

   • GTO和GTR是电流驱动型器件，通常需要较大的门极驱动功率。
   • Power MOSFET和IGBT通常是电压驱动型器件，相对于GTO和GTR需要较低的门极驱动功率。

4. 存在的问题和最新发展：

   • GTO虽然具有高容量，但存在转换时间长、驱动功率高的问题，不适合高频率和高速开关应用。最新发展在改善其速度和效率方面。
   • GTR的主要问题是转换速度较慢，限制了其在高频率应用中的使用。最新发展主要在提高其性能和速度上。
   • Power MOSFET在高功率应用方面受限，可能会遇到导通电阻和损耗较大的问题，最新发展集中在降低导通压降和提高功率密度方面。
   • IGBT近年来在高频率应用中得到了改进和广泛应用，但仍在不断发展，努力提高其开关速度和功率密度。

总的来说，各种器件在不同的应用场景中有各自的优势和限制。随着技术的发展，不断有改进和创新出现，以解决现有器件的问题，并提高其性能，以满足不同应用的需求。