Toggle navigation
首页
问答
文章
话题
专家
全站搜索
提问
会员
中心
登录
注册
知识竞赛
在p-Si中扩磷20分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到0.8μm,在原条件下还要扩散多长时间?
发布于 2021-09-10 05:08:48
A.51.2min
B.31.2min
C.117min
D.104min
查看更多
关注者
0
被浏览
20
体验AI问答!更聪明、超智能!
一款基于GPT的超级AI助手,可以对话、创作、写文案!
👉 点击使用 - AI智能问答 🔥
苦短
2021-09-10
这家伙很懒,什么也没写!
此回答被采纳为最佳答案,开通VIP会员可查看
1
个回答
默认排序
按发布时间排序
撰写答案
请登录后再发布答案,
点击登录
登录
注册新账号
有人回复时邮件通知我
关于作者
主编
这家伙很懒,什么也没写!
提问
444
回答
1587
被采纳
1500
关注TA
发私信
相关问题
1
在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
2
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?
3
我国儒学的创始人是孟子。()
4
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:
5
最早的宗故是佛救。()
6
交响曲是大型管弦乐曲、通常有四个乐章,()
7
离子注入硼无需退火就有电活性,所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
8
在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm,ΔRp=0.032μm,峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
9
在我国被誉为跳水皇后是高敏。()
10
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
发布
问题
手机
浏览
扫码手机浏览
分享
好友
在线
客服
回到
顶部