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在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

发布于 2021-09-10 05:08:52

A.0.088μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.6μm

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89887603 2021-09-10

这家伙很懒，什么也没写！

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这家伙很懒，什么也没写！

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