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热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）

发布于 2021-09-10 05:08:35

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美滋滋 2021-09-10

整天做梦的纠结症患者

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野百合也有春天

这家伙很懒，什么也没写！

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