Toggle navigation
首页
问答
文章
话题
专家
全站搜索
提问
会员
中心
登录
注册
知识竞赛
关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
发布于 2021-09-10 05:08:34
A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.(111)硅比(100)硅氧化得快
D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
查看更多
关注者
0
被浏览
42
体验AI问答!更聪明、超智能!
一款基于GPT的超级AI助手,可以对话、创作、写文案!
👉 点击使用 - AI智能问答 🔥
叫地主
2021-09-10
这家伙很懒,什么也没写!
此回答被采纳为最佳答案,开通VIP会员可查看
1
个回答
默认排序
按发布时间排序
撰写答案
请登录后再发布答案,
点击登录
登录
注册新账号
有人回复时邮件通知我
关于作者
娇娇嗯啊
这家伙很懒,什么也没写!
提问
853
回答
1189
被采纳
1138
关注TA
发私信
相关问题
1
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。
2
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
3
空气是一种看不见、摸不着的物体,所以它不占据一定得空间。()
4
制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
5
井水清澈透明,是一种纯净的水。()
6
凡是身体可以分为头、胸、腹三部分的动物,人们都把它们叫做昆虫。()
7
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质()引起的。(两个字)
8
浮在水面上的物体受到水的浮力,沉在水中的物体没有受到水的浮力。()
9
热氧化速率快慢排序:氧化最快、氧化次之、氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)
10
扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸,这是()效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。
发布
问题
手机
浏览
扫码手机浏览
分享
好友
在线
客服
回到
顶部