关于氧化速率下面哪种描述是正确的:

发布于 2021-09-10 05:08:34
A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.(111)硅比(100)硅氧化得快
D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律

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