知识竞赛

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

发布于 2021-09-10 05:08:26

A.正确
B.错误

关注者

0

被浏览

26

蓝色多瑙河 2021-09-10

这家伙很懒，什么也没写！

此回答被采纳为最佳答案，开通VIP会员可查看

1 个回答

撰写答案

请登录后再发布答案，点击登录

关于作者

万戈木木

这家伙很懒，什么也没写！

提问

回答

900

被采纳

840

关注TA

发私信

相关问题

1

空气中的氧气是支持燃烧的。（）

2

VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

3

一般平面图都在图的左上角画一个指北的指向标。（）

4

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。

5

汉字是目前世界上使用人口最多的文字。（）

6

在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

7

我国地势东高西低，成阶梯状分布。（）

8

VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面

9

我国历史上第一个统一的多民族封建国家为秦朝。（）

10

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。

发布
问题

手机
浏览

扫码手机浏览

在线
客服