Toggle navigation
首页
问答
文章
话题
专家
全站搜索
提问
会员
中心
登录
注册
知识竞赛
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。
发布于 2021-09-10 05:08:30
查看更多
关注者
0
被浏览
105
体验AI问答!更聪明、超智能!
一款基于GPT的超级AI助手,可以对话、创作、写文案!
👉 点击使用 - AI智能问答 🔥
大鱼小鱼
2021-09-10
别把生活当作游戏,谁游戏人生,生活就惩罚谁,这不是劝诫,而是--规则!
此回答被采纳为最佳答案,开通VIP会员可查看
1
个回答
默认排序
按发布时间排序
撰写答案
请登录后再发布答案,
点击登录
登录
注册新账号
有人回复时邮件通知我
关于作者
victory
IT界扛把子
提问
1281
回答
1212
被采纳
1152
关注TA
发私信
相关问题
1
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
2
在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
3
我国地势东高西低,成阶梯状分布。()
4
VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源,硅烷是在()完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
5
我国历史上第一个统一的多民族封建国家为秦朝。()
6
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
7
空气是一种看不见、摸不着的物体,所以它不占据一定得空间。()
8
制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
9
井水清澈透明,是一种纯净的水。()
10
关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
发布
问题
手机
浏览
扫码手机浏览
分享
好友
在线
客服
回到
顶部